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Référence fabricant
SCT025H120G3AG
SiC Power Mosfet 1200V, RDSon 27.5 mOhms, ID 55A.
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2320 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT025H120G3AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=fr&field2=SCT025H120G3AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct025h120g3ag-stmicroelectronics-2191332
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=EU&field16=fr&field2=SCT025H120G3AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1emea.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct025h120g3ag-stmicroelectronics-2191332
STMicroelectronics SCT025H120G3AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1.2kV |
| Drain Current: | 55A |
| Input Capacitance: | 1990pF |
| Power Dissipation: | 375W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
25
d’Allemagne:
25
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1+
9,09 $
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2 par
Méthode de montage :
Surface Mount