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Référence fabricant

DMN6068SEQ-13

DMN6068SE Series 60 V 68 mOhm 5.6 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN6068SEQ-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 68mΩ
Rated Power Dissipation: 3.7|W
Qg Gate Charge: 10.3nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 5.6A
Turn-on Delay Time: 3.6ns
Turn-off Delay Time: 11.9ns
Rise Time: 10.8ns
Fall Time: 8.7ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Height - Max: 1.65mm
Length: 6.5mm
Input Capacitance: 502pF
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Commande minimale :
4000
Multiples de :
4000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
704,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.176
8 000
$0.174
12 000
$0.173
20 000
$0.171
40 000+
$0.168
Product Variant Information section