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Référence fabricant
DMT6016LPS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMT6016LPS-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMT6016LPS-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/dmt6016lps-13-diodes-incorporated-7056819
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMT6016LPS-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/dmt6016lps-13-diodes-incorporated-7056819
Diodes Incorporated DMT6016LPS-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 15mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1.23|W |
| Qg Gate Charge: | 17nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.26
5 000
$0.255
12 500
$0.25
25 000+
$0.245
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount