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Référence fabricant
BSC084P03NS3GATMA1
Single P-Channel 30 V 8.4 mOhm 43 nC OptiMOS™ Power Mosfet- TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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Infineon BSC084P03NS3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Description:NO change on electrical, thermal parameters and reliability as proven via product qualification and characterization. NO change in existing datasheet parameters NO change in quality and reliability. Processes are optimized to meet product performance according to already applied Infineon specification
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC084P03NS3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc084p03ns3gatma1-infineon-3060195
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC084P03NS3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc084p03ns3gatma1-infineon-3060195
Infineon BSC084P03NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.4mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 43nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount