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Référence fabricant
SPP08N80C3XKSA1
N-Channel 800 V 8 A (Tc) 104 W (Tc) Through Hole Power MOSFET - PG-TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2335 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon SPP08N80C3XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SPP08N80C3XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/spp08n80c3xksa1-infineon-2134998
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Infineon SPP08N80C3XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.65Ω |
| Rated Power Dissipation: | 104W |
| Qg Gate Charge: | 45nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 72ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 10ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 1100pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.16
200
$1.14
750
$1.12
2 000
$1.11
5 000+
$1.09
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole