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Infineon Technologies | BSZ050N03MSGATMA1

Manufacturer Part #

BSZ050N03MSGATMA1

Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 34 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha: 2249
Product Specification Section
Infineon Technologies BSZ050N03MSGATMA1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.5mΩ
Rated Power Dissipation: 2.1|W
Qg Gate Charge: 34nC
Estilo de empaquetado:  TSDSON-8
Método de montaje: Surface Mount
Pricing Section
Stock global:
5.000
Alemania:
5.000
En pedido:
0
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
52+Weeks
Pedido mínimo:
5000
Múltiples de:
5000
Total
1.450,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
5.000
0,29 $
10.000+
0,28 $
Product Variant Information section