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Référence fabricant
STN3N45K3
N-Channel 450 V 3.8 Ohm SuperMESH3 Power MosFet - SOT-223
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2521 | ||||||||||
STMicroelectronics STN3N45K3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STN3N45K3&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stn3n45k3-stmicroelectronics-1000378
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STMicroelectronics STN3N45K3 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 450V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 3|W |
| Qg Gate Charge: | 9.5nC |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STN3N45K3 is a new SuperMESH3™ series is obtained through the combination of a further fine tuning of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout with a new optimization of the vertical structure.
In addition to reducing on-resistance significantly versus previous generation, special attention has been taken to ensure a very good dv/dt capability and higher margin in breakdown voltage for the most demanding application.
Features:
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt capability
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Improved diode reverse recovery characteristics
Zener-protected
Applications:
Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount