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Référence fabricant
2N7002BKV,115
2N7002BKV Series Dual N-Channel 60V 1.6 Ohm 350 mW 0.6nC TrenchMOS FET - SOT-666
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOT-666 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2340 | ||||||||||
Product Specification Section
Nexperia 2N7002BKV,115 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=2N7002BKV,115&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/2n7002bkv-115-nexperia-8004769
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Nexperia 2N7002BKV,115 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Not For Automotive Designs |
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.6Ω |
| Rated Power Dissipation: | 350mW |
| Qg Gate Charge: | 0.6nC |
| Turn-on Delay Time: | 5ns |
| Turn-off Delay Time: | 12ns |
| Rise Time: | 6ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Technology: | TrenchMOS |
| Input Capacitance: | 50pF |
| Style d'emballage : | SOT-666 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
60 000
États-Unis:
60 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.111
8 000
$0.109
16 000+
$0.108
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-666
Méthode de montage :
Surface Mount