Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
FQD13N10TM
N-Channel 100 V 0.18 Ohm 16 nC Surface Mount Mosfet - TO-252-3
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FQD13N10TM - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQD13N10TM&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqd13n10tm-onsemi-8652851
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQD13N10TM&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqd13n10tm-onsemi-8652851
onsemi FQD13N10TM - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 180mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 5ns |
| Turn-off Delay Time: | 20ns |
| Rise Time: | 55ns |
| Fall Time: | 25ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Height - Max: | 2.39mm |
| Length: | 6.73mm |
| Input Capacitance: | 345pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FQD13N10TM is a 100 V 0.18 Ohm N-Channel enhancement mode power field effect transistor.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand a high energy pulse in the avalanche and commutation modes.
Features:
- 10 A, 100 V, RDS(on) = 0.18 Ω @VGS = 10 V
- Low gate charge (typical 12nC)
- Low Crss (typical 20 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
Applications:
- Audio amplifier
- DC/DC converters
- DC motor control ?
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount