Référence fabricant
CE3512K2
RF JFET Transistors 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
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| Nom du fabricant: | CEL | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
CEL CE3512K2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
CEL CE3512K2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | pHEMT |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | -3V |
| Drain Current: | 10mA |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 4V |
| Configuration: | Single |
| Frequency Range: | 12GHz |
| Power Dissipation: | 125mW |
| Operating Temp Range: | -55°C to +125°C |
| Storage Temperature Range: | -55°C to +125°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$0.60
50
$0.585
200
$0.57
750
$0.555
2 500+
$0.525
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Méthode de montage :
Surface Mount