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NXP | MRFE6VP61K25NR6

Référence fabricant

MRFE6VP61K25NR6

MRFE6VP Series 133 V 230 MHz Dual Channel RF Power LDMOS Transistor - OM-1230-4L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: NXP
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
NXP MRFE6VP61K25NR6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: RF Fet
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 133V
Rated Power Dissipation: 3333W
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 10V
Operating Temp Range: -40°C to +225°C
Gate Source Threshold: 2.2V
Height - Max: 3.86mm
Length: 32.33mm
Input Capacitance: 562pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
150
Multiples de :
150
Total 
37 161,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
150+
$247.74
Product Variant Information section