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Référence fabricant
STB11NK50ZT4
N-Channel 500 Vds 10 A 520 mOhm 125 W Zener Protected Mosfet - D2Pak
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
STMicroelectronics STB11NK50ZT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STB11NK50ZT4&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stb11nk50zt4-stmicroelectronics-9015610
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STMicroelectronics STB11NK50ZT4 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.52Ω |
| Rated Power Dissipation: | 125|W |
| Qg Gate Charge: | 68nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STB11NK50ZT4 is a Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET.
The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and available in D²PAK package.
Features:
- Extremely high dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
Applications:
- Switching applications
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount