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STMicroelectronics | STP4NK60Z

Référence fabricant

STP4NK60Z

N-Channel 600 V 2 Ω SuperMESH Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP4NK60Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 2Ω
Rated Power Dissipation: 70|W
Qg Gate Charge: 26nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 400,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.71
2 000
$0.70
3 000
$0.695
5 000
$0.69
10 000+
$0.675
Product Variant Information section