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Référence fabricant

STP18NM80

N-Channel 800 V 295 mΩ Flange Mount MDmesh™ Power MOSFET - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP18NM80 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 295mΩ
Rated Power Dissipation: 190|W
Qg Gate Charge: 70nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
4 050,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$4.20
150
$4.15
250
$4.12
1 000
$4.05
1 500+
$4.01
Product Variant Information section