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STMicroelectronics | STD8NM50N

Référence fabricant

STD8NM50N

N-Channel 500 V 5 A 0.79 Ohm 45 W Surface Mount Mdmesh II Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1738
Product Specification Section
STMicroelectronics STD8NM50N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.79Ω
Rated Power Dissipation: 45|W
Qg Gate Charge: 14nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The STD8NM50N is a N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology.

This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features:

  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitances and gate charge
  • Low gate input resistance

Applications:

  • Switching applications
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
5 575,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500+
$2.23
Product Variant Information section