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Référence fabricant
STW15NK90Z
N Channel 900 V 0.4 Ω Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 | ||||||||||
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STMicroelectronics STW15NK90Z - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STW15NK90Z&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stw15nk90z-stmicroelectronics-4496618
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STMicroelectronics STW15NK90Z - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 900V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 350|W |
| Qg Gate Charge: | 256nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
Fonctionnalités et applications
The STW15NK90Z is a N-channel Zener Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout.
In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
Features:
- Extremely high dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing repeatibility
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3