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Référence fabricant

STW40N95K5

N-Channel 950 V 38 A 130 mOhm Through Hole MDmesh™ K5 Power Mosfet - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW40N95K5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 950V
Drain-Source On Resistance-Max: 130mΩ
Rated Power Dissipation: 450|W
Qg Gate Charge: 93nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 38A
Turn-on Delay Time: 33.5ns
Turn-off Delay Time: 91.5ns
Rise Time: 51ns
Fall Time: 10ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Height - Max: 20.15mm
Length: 15.75mm
Input Capacitance: 3300pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
6 144,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$10.43
90
$10.35
150
$10.32
450
$10.24
750+
$10.17
Product Variant Information section