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onsemi | FDV303N

Référence fabricant

FDV303N

N-Channel 25 V 0.45 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2524
Product Specification Section
onsemi FDV303N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 25V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.45Ω
Rated Power Dissipation: 0.35|W
Qg Gate Charge: 2.3nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FDV303N is a 25 V 0.45 O N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-state resistance at low gate drive conditions

Features:

  • 25 V, 0.68 A continuous, 2 A Peak.
  • RDS(ON) = 0.45 O @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 0.6 O @ VGS= 2.7 V.
  • Low level gate drive requirements allowing direct operation in 3 V circuits. VGS(th) 1.5 V.
  • Gate-Source Zener for ESD ruggedness. 6 kV Human Body Model.
  • Compact industry standard SOT-23 surface mount package.
  • Alternative to TN0200T and TN0201T

Applications:

  • Battery circuits
  • Inverter
  • compact portable electronic devices

View the complete family of N-channel mosfets

Pricing Section
Stock global :
231 000
États-Unis:
231 000
Sur commande :Order inventroy details
240 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
75,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0252
9 000
$0.0246
15 000
$0.0243
30 000
$0.0239
60 000+
$0.0233
Product Variant Information section