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Référence fabricant
IRF330
N-Channel 400 V 1 Ω 75 W Through Hole HexFet Transistor - TO-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :100 par Tray Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF330 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRF330 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 400V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1Ω |
| Rated Power Dissipation: | 75|W |
| Qg Gate Charge: | 6nC |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
100+
$25.20
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
100 par Tray
Méthode de montage :
Through Hole