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Référence fabricant
NTMFD1D1N02X
NTMFD1 Series 25 V 14/27 A 3/0.87 mOhm Dual N-Channel MOSFET - PQFN-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :PQFN-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2349 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTMFD1D1N02X - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTMFD1D1N02X&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ntmfd1d1n02x-onsemi-7176328
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onsemi NTMFD1D1N02X - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3mΩ/0.87mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.96W/1W |
| Qg Gate Charge: | 6.8nC/27nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 14A/27A |
| Turn-on Delay Time: | 7.4ns/11ns |
| Turn-off Delay Time: | 17ns/36ns |
| Rise Time: | 1.1ns/2.9ns |
| Fall Time: | 1.4ns/3.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.6V |
| Technology: | PowerTrench |
| Input Capacitance: | 1080pF/4265pF |
| Style d'emballage : | PQFN-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.35
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN-8
Méthode de montage :
Surface Mount