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Référence fabricant

PHB32N06LT,118

N-Channel 60 V 34 A Surface Mount TrenchMOS Logic Level FET - D2PAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia PHB32N06LT,118 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 37mΩ
Rated Power Dissipation: 97W
Qg Gate Charge: 17nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 15V
Drain Current: 34A
Turn-on Delay Time: 14ns
Turn-off Delay Time: 45ns
Rise Time: 120ns
Fall Time: 55ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 1.5V
Technology: TrenchMOS
Input Capacitance: 920pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
4800
Multiples de :
800
Total 
4 992,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.06
1 600
$1.05
4 000+
$1.04
Product Variant Information section