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Infineon | IRF3805STRLPBF

Référence fabricant

IRF3805STRLPBF

Single N-Channel 55 V 3.3 mOhm 290 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2245
Product Specification Section
Infineon IRF3805STRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 3.3mΩ
Rated Power Dissipation: 300W
Qg Gate Charge: 290nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 210A
Turn-on Delay Time: 150ns
Turn-off Delay Time: 93ns
Rise Time: 20ns
Fall Time: 87ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Advanced Process Technology
Height - Max: 4.83mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 7960pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
Total 
1 584,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.98
1 600
$1.97
2 400
$1.96
3 200
$1.95
4 000+
$1.94
Product Variant Information section