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Infineon Technologies | IRFY240CM

Référence fabricant

IRFY240CM

Single N-Channel 200 V 100 W 60 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-257AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon Technologies IRFY240CM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.18Ω
Rated Power Dissipation: 100|W
Qg Gate Charge: 60nC
Style d'emballage :  TO-257AA
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
100
Multiples de :
1
Total 
29 867,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$313.61
2
$309.03
3
$306.39
4
$304.53
5+
$298.67
Product Variant Information section