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Référence fabricant

STS5DNF60L

Dual N-Channel 60 V 0.045 Ohm Surface Mount STripFET II Power Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STS5DNF60L - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 45mΩ
Rated Power Dissipation: 2W
Qg Gate Charge: 15nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 15V
Drain Current: 5A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 45ns
Rise Time: 28ns
Fall Time: 10ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.7V
Input Capacitance: 1030pF
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
1 400,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.56
5 000
$0.55
10 000
$0.545
12 500+
$0.535
Product Variant Information section