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Référence fabricant

BSS315PH6327XTSA1

Single P-Channel 30 V 150 mOhm 2.3 nC OptiMOS™ Power Mosfet -SOT-23

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2436
Product Specification Section
Infineon BSS315PH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 150mΩ
Rated Power Dissipation: 0.5|W
Qg Gate Charge: 2.3nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
807 000
États-Unis:
807 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
158,10 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0527
9 000
$0.0515
30 000
$0.0502
60 000
$0.0494
120 000+
$0.048
Product Variant Information section