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Référence fabricant
FDS9435A
P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2505 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDS9435A - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDS9435A&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fds9435a-onsemi-5194583
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onsemi FDS9435A - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 50mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 1|W |
| Qg Gate Charge: | 14nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDS9435A is a 30 V 50 mΩ P-Channel MOSFET is a rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5 V –25 V)
Features:
- -5.3 A, -30 V
- RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = - 4.5 V.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High density cell design for extremely low RDS(ON).
- High power and current handling capability
Applications:
- Power management
- Load switch
- Battery protection
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
19 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.205
5 000
$0.20
10 000
$0.198
12 500
$0.197
37 500+
$0.193
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount