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Référence fabricant

IPA80R280P7XKSA1

Single N-Channel 800V 280 mOhm 36 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3FP

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IPA80R280P7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.28Ω
Rated Power Dissipation: 30W
Qg Gate Charge: 36nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 17A
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 40ns
Rise Time: 6ns
Fall Time: 5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: CoolMOS
Height - Max: 9.83mm
Length: 10.65mm
Input Capacitance: 1200pF
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Commande minimale :
500
Multiples de :
50
Total 
695,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.41
200
$1.39
750
$1.37
1 500
$1.36
3 750+
$1.34
Product Variant Information section