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Référence fabricant

IRFU9024NPBF

Single P-Channel 55 V 0.175 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-251

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2429
Product Specification Section
Infineon IRFU9024NPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.175Ω
Rated Power Dissipation: 38W
Qg Gate Charge: 19nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 11A
Turn-on Delay Time: 13ns
Turn-off Delay Time: 23ns
Rise Time: 55ns
Fall Time: 37ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Advanced Process Technology
Height - Max: 6.22mm
Length: 6.73mm
Input Capacitance: 350pF
Style d'emballage :  TO-251 (IPAK)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
600
États-Unis:
600
Sur commande :Order inventroy details
1 275
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
75
Multiples de :
75
Total 
27,75 $
USD
Quantité
Prix unitaire
75
$0.37
375
$0.36
1 875
$0.35
3 750
$0.345
11 250+
$0.335
Product Variant Information section