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Référence fabricant
IRLL2705TRPBF
Single N-Channel 55 V 0.065 Ohm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4, SC-73) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2501 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLL2705TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLL2705TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irll2705trpbf-infineon-1173919
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Infineon IRLL2705TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 48nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 5.2A |
| Turn-on Delay Time: | 6.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 35ns |
| Rise Time: | 12ns |
| Fall Time: | 22ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | Advanced Process Technology |
| Height - Max: | 1.8mm |
| Length: | 6.7mm |
| Input Capacitance: | 870pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4, SC-73) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
102 500
États-Unis:
102 500
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.255
5 000
$0.25
12 500
$0.245
25 000+
$0.24
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage :
Surface Mount