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Référence fabricant
IRLML6402TRPBF
Single P-Channel 20 V 0.065 Ohm 8 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :MICRO-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Infineon IRLML6402TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLML6402TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlml6402trpbf-infineon-8974743
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Infineon IRLML6402TRPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 1.3|W |
| Qg Gate Charge: | 8nC |
| Style d'emballage : | MICRO-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
It utilizes a advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in many applications.
Features:
- Ultra Low On-Resistance
- P-Channel MOSFET
- SOT-23 Footprint
- Low Profile (<1.1mm)
- Available in Tape and Reel
- Fast Switching
- Lead-Free
- Halogen-Free
Applications:
- Battery
- Load Management
- Portable electronics
- PCMCIA cards
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
MICRO-3
Méthode de montage :
Surface Mount