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Référence fabricant

STD8N65M5

N-Channel 710 V 0.6 Ohm MDmesh V Power MosFet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD8N65M5 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 710V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6Ω
Rated Power Dissipation: 70|W
Qg Gate Charge: 15nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
3 075,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$1.23
5 000+
$1.22
Product Variant Information section