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Référence fabricant
STL115N10F7AG
N-Channel 100 V 6 mOhm 72.5 nC 136 W SMT STripFET™ F7 Power Mosfet - PowerFLAT™
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER FLAT Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2402 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STL115N10F7AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STL115N10F7AG&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stl115n10f7ag-stmicroelectronics-2158862
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STMicroelectronics STL115N10F7AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 6MΩ |
| Rated Power Dissipation: | 136W |
| Qg Gate Charge: | 72.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 107A |
| Turn-on Delay Time: | 33ns |
| Turn-off Delay Time: | 48ns |
| Rise Time: | 38ns |
| Fall Time: | 20ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 0.95mm |
| Length: | 5.1mm |
| Input Capacitance: | 5600pF |
| Style d'emballage : | POWER FLAT |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
66 000
États-Unis:
66 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$1.14
6 000+
$1.12
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER FLAT
Méthode de montage :
Surface Mount