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Référence fabricant
TSTS7100
950 nm 50 mA ±5° Through Hole Infrared Emitting Diode - TO-18
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Bag Style d'emballage :TO-18 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Vishay TSTS7100 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=TSTS7100&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--optoelectronics--infrared-emitters-detectors/tsts7100-vishay-6406755
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Vishay TSTS7100 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 950nm |
| Angle of Half Intensity: | ±5° |
| Intensity: | 50mW/cm2 |
| Forward (Drive) Current: | 250mA |
| Forward Voltage: | 1.3V |
| Style d'emballage : | TO-18 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The TSTS7100 is a infrared emitting diode. It Consist of 950 nm wavelengh in GaAs technology in a hermetically sealed TO-18 package with lens.
Features:
- Package type: leaded
- Package form: TO-18
- Dimensions (in mm): ∅ 4.7
- Peak wavelength: λp = 950 nm
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ? = ± 5°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
Applications:
- Radiation source in near infrared range
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$2.02
20
$1.97
40
$1.95
125
$1.92
250+
$1.88
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Bag
Style d'emballage :
TO-18
Méthode de montage :
Through Hole