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Référence fabricant
FDS2582
N-Channel 150 V 66 mOhm PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2449 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDS2582 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDS2582&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fds2582-onsemi-1791334
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onsemi FDS2582 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 66mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 25nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDS2582 is a FDS2582 Series 150 V, 4.1 A, 66 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - SOIC-8.
Features:
- rDS(ON) = 57 mO (Typ.), VGS = 10 V, ID = 4.1 A
- Qg(tot) = 19 nC (Typ.), VGS = 10 V
- Low Miller Charge
- Low QRR Body Diode
- Optimized efficiency at high frequencies
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications:
- DC/DC converters and Off-Line UPS
- Distributed Power Architectures and VRMs
- Primary Switch for 24 V and 48 V Systems
- High Voltage Synchronous Rectifier
- Direct Injection / Diesel Injection Systems
- 42 V Automotive Load Control
- Electronic Valve Train Systems
Pricing Section
Stock global :
7 500
États-Unis:
7 500
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.57
5 000
$0.565
7 500
$0.56
10 000
$0.555
12 500+
$0.545
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount