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Référence fabricant
SCT10N120
N-Channel 1200 V 520 mΩ 22 nC Silicon Carbide power Mosfet - HiP247
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT10N120 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT10N120&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sct10n120-stmicroelectronics-7073655
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STMicroelectronics SCT10N120 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$4.51
120
$4.44
300
$4.39
750
$4.34
1 200+
$4.27
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Méthode de montage :
Through Hole