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Référence fabricant
IPL60R075CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 33A 4VSON
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2450 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPL60R075CFD7AUMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Autriche
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPL60R075CFD7AUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipl60r075cfd7auma1-infineon-1175515
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPL60R075CFD7AUMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipl60r075cfd7auma1-infineon-1175515
Infineon IPL60R075CFD7AUMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 75mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 189W |
| Qg Gate Charge: | 67nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 33A |
| Turn-on Delay Time: | 36ns |
| Turn-off Delay Time: | 113ns |
| Rise Time: | 13ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 2721pF |
| Series: | CoolMOS CFD7 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$5.57
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount