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Référence fabricant
IPB180N04S400ATMA1
Single N-Channel 40 V 0.98 Ohm 220 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-7
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
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Infineon IPB180N04S400ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change information Subject: Introduction of an additional wafer production and wafer test location at Infineon Technologies Dresden GmbH, Dresden, Germany and an additional wafer diameter for products IPD50N04S4-10, IPD75N04S4-06, IPB80N04S4-04, IPD100N04S4-02 and IPB180N04S4-00 Reason/Motivation: Due to continuously raising demand for Infineon automotive products exceeding the capacity in Villach and Kulim we have to extend wafer production and wafer
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB180N04S400ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/discretes--transistors--mosfets/ipb180n04s400atma1-infineon-5065080
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB180N04S400ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/discretes--transistors--mosfets/ipb180n04s400atma1-infineon-5065080
Infineon IPB180N04S400ATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.98mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 220nC |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Through Hole