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Référence fabricant
FGY160T65SPD-F085
FGY160T65SPD Series 650 V 240 A Through Hole Silicon IGBT - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FGY160T65SPD-F085 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FGY160T65SPD-F085&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fgy160t65spd-f085-onsemi-5103009
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onsemi FGY160T65SPD-F085 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 240A |
| Power Dissipation-Tot: | 882W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 480A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.6V |
| Turn-on Delay Time: | 53ns |
| Turn-off Delay Time: | 98ns |
| Qg Gate Charge: | 163nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 132ns |
| Leakage Current: | 250nA |
| Input Capacitance: | 6710pF |
| Thermal Resistance: | 40°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450+
$9.62
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole