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Référence fabricant
FDC6333C
Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2518 | ||||||||||
onsemi FDC6333C - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDC6333C&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdc6333c-onsemi-2416410
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onsemi FDC6333C - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V/-30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 95mΩ/130mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.7|W |
| Qg Gate Charge: | 6.6nC/5.7nC |
| Style d'emballage : | SSOT-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
These N & P-Channel MOSFETs are produced advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.
Product Features:
- Q1 2.5 A, 30V
- RDS(on) = 95 mΩ@ VGS = 10 V
- RDS(on) = 150 mΩ @ VGS = 4.5 V
- Q2 –2.0 A, 30V.
- RDS(on) = 150 mΩ@ VGS = -10 V
- RDS(on) = 220 mΩ @ VGS = -4.5 V
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- SuperSOT –6 package: small footprint (72% smaller thanSO-8); low profile (1mm thick).
Applications:
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-6
Méthode de montage :
Surface Mount