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Référence fabricant
FDN306P
P-Channel 12 V 40 mOhm 1.8 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2528 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDN306P - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDN306P&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdn306p-onsemi-8348559
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onsemi FDN306P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 12V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 40mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.5|W |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDN306P is a 12 V 40 mO P-Channel 1.8V Specified PowerTrench Mosfet uses advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications
Features:
- –2.6 A, –12 V. RDS(ON) = 40 mO @ VGS = –4.5 V
- RDS(ON) = 50 mO @ VGS = –2.5 V
- RDS(ON) = 80 mO @ VGS = –1.8 V
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
- SuperSOTTM -3 provides low RDS(ON)
Applications:
- Battery management
- Load switch
- Battery protection
View the complete family of P-Channel mosfets
Pricing Section
Stock global :
3 000
États-Unis:
3 000
Délai d'usine :
29 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.154
9 000
$0.152
12 000
$0.151
30 000
$0.149
45 000+
$0.146
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount