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Référence fabricant
FDN336P
Single P-Channel 20V 0.2 Ohm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet SSOT-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SSOT-3 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2241 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDN336P - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDN336P&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdn336p-onsemi-5178093
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onsemi FDN336P - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 0.5W |
| Qg Gate Charge: | 3.6nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 1.3A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 16ns |
| Rise Time: | 12ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.9V |
| Technology: | PowerTrench |
| Input Capacitance: | 330pF |
| Style d'emballage : | SSOT-3 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
84 000
États-Unis:
84 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
25 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.103
9 000
$0.10
15 000
$0.099
30 000
$0.0975
60 000+
$0.095
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SSOT-3
Méthode de montage :
Surface Mount