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Référence fabricant

FQPF27P06

P-CH/60V/17A/0.07OHM

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FQPF27P06 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 70mΩ
Rated Power Dissipation: 47|W
Qg Gate Charge: 43nC
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The FQPF27P06 Series of 60 V 70 mOhm Flange Mount P-Channel MOSFET - TO-220F.These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive,DC/DC converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.

Features:

  • -17 A, -60 V, RDS(on)= 0.07 W@VGS= -10 V
  • Low gate charge ( typical 33 nC)
  • Low Crss (typical 120 pF)
  • Fast switching
  • 100 % avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
  • 175 ºC maximum junction temperature rating

View the complete FQPF2 series of MOSFETS

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 020,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.02
2 000
$1.01
3 000
$0.995
4 000
$0.99
5 000+
$0.975
Product Variant Information section