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Infineon Technologies | IPB60R099P7ATMA1

Référence fabricant

IPB60R099P7ATMA1

Single N-Channel 600 V 99 mOhm 45 nC CoolMOS™ Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon Technologies IPB60R099P7ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 99mΩ
Rated Power Dissipation: 117W
Qg Gate Charge: 45nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 31A
Turn-on Delay Time: 23ns
Turn-off Delay Time: 89ns
Rise Time: 15ns
Fall Time: 5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3.5V
Technology: CoolMOS
Input Capacitance: 1952pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
1 960,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.96
2 000
$1.95
3 000
$1.94
4 000+
$1.93
Product Variant Information section