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Référence fabricant
IPP030N10N5AKSA1
IPP030N10N5 Series 100 V 120 A OptiMOS™5 Power Transistor MOSFET - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP030N10N5AKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP030N10N5AKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp030n10n5aksa1-infineon-2096794
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Infineon IPP030N10N5AKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 250W |
| Qg Gate Charge: | 112nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 120A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 52ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 17ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 7920pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$2.39
1 000
$2.37
1 500
$2.36
2 000
$2.35
2 500+
$2.33
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole