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Référence fabricant
IPW65R045C7FKSA1
N-Channel 650 V 45 mOhm CoolMOSTM C7 Power Transistor-PG-TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
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Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2427 | ||||||||||
Infineon IPW65R045C7FKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Introduction of an additional assembly and test location site, Tongfu Tongke (Nantong) Microelectronics Co., Ltd. (TFTK) for TO247-3 products.Detailed change information:Subject:Introduction of an additional assembly and final test location site, Tongfu Tongke (Nantong) Microelectronics Co., Ltd. (TFTK) forTO247-3 products.Reason :Expansion of assembly and test location to assure continuity and increase of supply
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW65R045C7FKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipw65r045c7fksa1-infineon-9060180
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW65R045C7FKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipw65r045c7fksa1-infineon-9060180
Infineon IPW65R045C7FKSA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 45mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 227|W |
| Qg Gate Charge: | 93nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole