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Référence fabricant

IRF540NSTRLPBF

Single N-Channel 100V 44 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRF540NSTRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 44mΩ
Rated Power Dissipation: 130W
Qg Gate Charge: 71nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 33A
Turn-on Delay Time: 11ns
Turn-off Delay Time: 39ns
Rise Time: 35ns
Fall Time: 35ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Advanced Process Technology
Height - Max: 4.83mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 1960pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
472,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$0.59
2 400
$0.575
8 000
$0.565
12 000+
$0.555
Product Variant Information section