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Infineon Technologies | IRF7316TRPBF

Référence fabricant

IRF7316TRPBF

Dual P-Channel 30 V 0.098 Ohm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon Technologies
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon Technologies IRF7316TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual P-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: -30V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.098Ω
Rated Power Dissipation: 2W
Qg Gate Charge: 34nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: -4.9A
Turn-on Delay Time: 19ns
Turn-off Delay Time: 51ns
Rise Time: 20ns
Fall Time: 48ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: -1V
Technology: Generation V
Height - Max: 1.75mm
Length: 5mm
Input Capacitance: 710pF
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
4000
Multiples de :
4000
Total 
1 220,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.305
8 000
$0.30
12 000
$0.295
20 000+
$0.29
Product Variant Information section