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Référence fabricant
IRF7351TRPBF
Dual N-Channel 60 V 17.8 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF7351TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF7351TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf7351trpbf-infineon-6895676
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Infineon IRF7351TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 17.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2W |
| Qg Gate Charge: | 36nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 8A |
| Turn-on Delay Time: | 5.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 17ns |
| Rise Time: | 5.9ns |
| Fall Time: | 6.7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1.75mm |
| Length: | 5mm |
| Input Capacitance: | 1330pF |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.38
8 000
$0.375
12 000
$0.37
20 000+
$0.365
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount