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Référence fabricant

IRFR2405TRPBF

Single N-Channel 55 V 0.016 Ohm 70 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2452
Product Specification Section
Infineon IRFR2405TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.016Ω
Rated Power Dissipation: 110|W
Qg Gate Charge: 70nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 56A
Turn-on Delay Time: 15ns
Turn-off Delay Time: 55ns
Rise Time: 130ns
Fall Time: 78ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 2430pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
12 000
États-Unis:
12 000
Sur commande :Order inventroy details
40 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
Total 
920,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.46
4 000
$0.455
6 000
$0.45
10 000+
$0.44
Product Variant Information section