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Référence fabricant

PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNE Series 20 V 620 mOhm Dual N-Channel TrenchMOS FET - DFN1010B-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia PMDXB600UNEZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 620mΩ
Rated Power Dissipation: 380|mW
Qg Gate Charge: 0.4nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
20000
Multiples de :
5000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 868,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.0964
10 000
$0.0949
20 000
$0.0934
25 000
$0.0929
75 000+
$0.09
Product Variant Information section